Semi-conducteurs. Page 172 sur 485. Avtronic

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Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRF2907ZS-7P à IRF5210S (Page 172 sur 485)

Transistor IRF2907ZS-7P

15.06€ TTC

32 En stock

Transistor IRF2907ZS-7P N-MOS 75V 180A 300W 0.03R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (AUIRF2907ZS-7PPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 180 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205

4.03€ TTC

463 En stock

Transistor IRF3205 N-MOS 55V 110A/390Ap.200W 0.008R(80A). HEXFET Power MOSFET. td(on)14nS / td(off)50nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 80 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205S

5.10€ TTC

115 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 200W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3205Z

3.58€ TTC

306 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 110A 170W 0.0049R.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3315

5.32€ TTC

85 En stock

Transistor IRF3315 N-MOS 150V 27A 136W<0.07R(19A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 27 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.07.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3415

5.94€ TTC

52 En stock

Transistor IRF3415 N-MOS 150V 43A 200W<0.0042R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.0042.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3710

4.03€ TTC

161 En stock

Transistor IRF3710 N-MOS 100V 57A 200W 0.023R(28A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12/td(off)49nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.023.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3710S

5.04€ TTC

58 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 57A. Puissance: 3.8W. Rds: 0.025 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711

9.74€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF3711 N-MOS 20V 110A 120W<0.047R(69A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)17nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 69 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711S

6.33€ TTC

39 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 120W. Rds<0.047 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711Z

7.95€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF3711Z N-MOS+Z 20V 92A 79W<0.048R(65A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)15nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 92 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 65 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711ZS

7.62€ TTC

4 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 92A. Puissance: 79W. Rds<0.048 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF3808

8.34€ TTC

137 En stock

Transistor IRF3808 N-MOS 75V 140A 330W 0.007R(97A). HEXFET Power MOSFET. RDS(on):0.007ohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 97 A. Rds (Ohms): 0.007.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF460

51.97€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF460 N-MOS 500V 21A 300W<0.27R(14A). HEXFET. Idm: 84A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-3 (TO204A). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 21 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.27. Puissance: 300 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF4905

5.38€ TTC

149 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -74A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds): 0.02 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF4905SPBF

6.94€ TTC

686 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 55V 70A/260Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.02 Ohms (52A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF510

2.41€ TTC

177 En stock

Transistor IRF510 N-MOS 100V 5.6A 43W<0.54R(4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 0.54.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF520

2.91€ TTC

249 En stock

Transistor IRF520 N-MOS 100V 9.2A 60W<0.27R(6.5A). STripFETII POWER MOSFET. LOW GATE CHARGE. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.27

Tarifs dégressifs

Transistor IRF520FI

15.29€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF520FI N-MOS 100V 9.2A 30W<0.027R(5.5A. V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Rds: <27mohm. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.027. Puissance: 30 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF5210

6.72€ TTC

110 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -40A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF5210S

8.34€ TTC

29 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 3.8W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohms. Boîtier: D2Pak (TO-263).

Tarifs dégressifs

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Circuits intégrés divers

Circuits logiques série 4000

Circuits logiques série 74

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Modules de transmission radio

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Transistor IRF2907ZS-7P

Transistor IRF2907ZS-7P N-MOS 75V 180A 300W 0.03R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (AUIRF2907ZS-7PPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 180 A.

Transistor IRF3205

Transistor IRF3205 N-MOS 55V 110A/390Ap.200W 0.008R(80A). HEXFET Power MOSFET. td(on)14nS / td(off)50nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 80 A.

Transistor IRF3205S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 200W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Transistor IRF3205Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 110A 170W 0.0049R.

Transistor IRF3315

Transistor IRF3315 N-MOS 150V 27A 136W<0.07R(19A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 27 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.07.

Transistor IRF3415

Transistor IRF3415 N-MOS 150V 43A 200W<0.0042R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.0042.

Transistor IRF3710

Transistor IRF3710 N-MOS 100V 57A 200W 0.023R(28A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12/td(off)49nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.023.

Transistor IRF3710S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 57A. Puissance: 3.8W. Rds: 0.025 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Transistor IRF3711

Transistor IRF3711 N-MOS 20V 110A 120W<0.047R(69A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)17nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 69 A.

Transistor IRF3711S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 120W. Rds<0.047 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Transistor IRF3711Z

Transistor IRF3711Z N-MOS+Z 20V 92A 79W<0.048R(65A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)15nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 92 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 65 A.

Transistor IRF3711ZS

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 92A. Puissance: 79W. Rds<0.048 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Transistor IRF3808

Transistor IRF3808 N-MOS 75V 140A 330W 0.007R(97A). HEXFET Power MOSFET. RDS(on):0.007ohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 97 A. Rds (Ohms): 0.007.

Transistor IRF460

Transistor IRF460 N-MOS 500V 21A 300W<0.27R(14A). HEXFET. Idm: 84A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-3 (TO204A). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 21 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.27. Puissance: 300 W

Transistor IRF4905

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -74A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds): 0.02 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor MOSFET canal-P IRF4905SPBF

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 55V 70A/260Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.02 Ohms (52A)

Transistor IRF510

Transistor IRF510 N-MOS 100V 5.6A 43W<0.54R(4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 0.54.

Transistor IRF520

Transistor IRF520 N-MOS 100V 9.2A 60W<0.27R(6.5A). STripFETII POWER MOSFET. LOW GATE CHARGE. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.27

Transistor IRF520FI

Transistor IRF520FI N-MOS 100V 9.2A 30W<0.027R(5.5A. V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Rds: <27mohm. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.027. Puissance: 30 W

Transistor IRF5210

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -40A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF5210S

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 3.8W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohms. Boîtier: D2Pak (TO-263).

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